SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.06 грн |
| 6000+ | 12.85 грн |
| 9000+ | 11.93 грн |
| 30000+ | 10.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SI2333CDS-T1-E3 за ціною від 14.21 грн до 60.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V |
на замовлення 74274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -7.1A; Idm: -20A Drain-source voltage: -12V Drain current: -7.1A On-state resistance: 59mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 2923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -7.1A; Idm: -20A Drain-source voltage: -12V Drain current: -7.1A On-state resistance: 59mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2923 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V |
на замовлення 85185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2333CDS-T1-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 8897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI2333CDS-T1-E3 |
|
на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI2333CDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 7.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |