Продукція > VISHAY > SI2328DS-T1-GE3
SI2328DS-T1-GE3

SI2328DS-T1-GE3 Vishay

si2328ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2328DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI2328DS-T1-GE3 за ціною від 14.52 грн до 70.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2328ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+23.14 грн
9000+ 22.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2328ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.47W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+23.69 грн
25+ 20.04 грн
57+ 15.24 грн
155+ 14.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2328ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.47W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.43 грн
25+ 24.97 грн
57+ 18.29 грн
155+ 17.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049165.pdf Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+40.58 грн
500+ 23.88 грн
1500+ 21.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
213+56.99 грн
214+ 56.49 грн
304+ 39.78 грн
316+ 36.9 грн
500+ 29.76 грн
1000+ 26.76 грн
Мінімальне замовлення: 213
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
212+57.07 грн
214+ 56.51 грн
304+ 39.81 грн
307+ 38 грн
500+ 29.78 грн
1000+ 24.99 грн
Мінімальне замовлення: 212
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049165.pdf Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+57.85 грн
50+ 49.25 грн
100+ 40.58 грн
500+ 23.88 грн
1500+ 21.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2328ds.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
на замовлення 10023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.05 грн
10+ 48.13 грн
100+ 33.33 грн
500+ 26.14 грн
1000+ 22.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2328ds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+61.05 грн
12+ 53 грн
25+ 52.47 грн
100+ 35.65 грн
250+ 32.67 грн
500+ 26.54 грн
1000+ 23.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2328ds.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 17730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.33 грн
10+ 60.91 грн
100+ 36.17 грн
500+ 30.18 грн
1000+ 25.72 грн
3000+ 23.28 грн
6000+ 21.6 грн
Мінімальне замовлення: 5