Si2325DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 28.11 грн |
| 6000+ | 25.78 грн |
| 9000+ | 24.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si2325DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V.
Інші пропозиції Si2325DS-T1-E3 за ціною від 26.62 грн до 73.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2325DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2325DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
Si2325DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 16278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
Si2325DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 53035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
SI2325DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
Si2325DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.53A; Idm: -1.6A; 0.48W Case: SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 1.2Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.48W Drain current: -530mA Drain-source voltage: -150V Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1.6A Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
Si2325DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.53A; Idm: -1.6A; 0.48W Case: SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 1.2Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.48W Drain current: -530mA Drain-source voltage: -150V Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -1.6A Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |