Продукція > VISHAY > SI2324DS-T1-GE3

SI2324DS-T1-GE3 Vishay

Name: SI2324DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 486980-7
Price: 9.92 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	9.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI2324DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.195ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI2324DS-T1-GE3 за ціною від 11.45 грн до 54.18 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	13.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	14.72 грн
6000+	13.46 грн
9000+	12.49 грн
30000+	11.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	14.75 грн
9000+	13.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	14.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	15.89 грн
9000+	14.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
514+	23.55 грн
581+	20.82 грн
587+	20.61 грн

Мінімальне замовлення: 514

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 11589 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
16+	24.78 грн
25+	20.62 грн
53+	16.24 грн
144+	15.35 грн
3000+	14.74 грн

Мінімальне замовлення: 16

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 11589 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	29.74 грн
25+	25.69 грн
53+	19.48 грн
144+	18.42 грн
3000+	17.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	29.86 грн
500+	21.78 грн
1000+	15.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23

на замовлення 99454 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	35.53 грн
11+	30.7 грн
100+	20.63 грн
500+	17.14 грн
1000+	14.5 грн
3000+	12.82 грн
9000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V

на замовлення 46631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	43.72 грн
10+	35.93 грн
100+	24.99 грн
500+	18.31 грн
1000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.195ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1459 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
15+	54.18 грн
19+	42.76 грн
100+	29.86 грн
500+	21.78 грн
1000+	15.55 грн

Мінімальне замовлення: 15

SI2324DS-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)