на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2323DS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI2323DS-T1-GE3 за ціною від 17.17 грн до 75.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2323DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2323DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V |
на замовлення 8211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2323DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V |
на замовлення 160613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2323DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 68mΩ Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Gate charge: 19nC Drain current: -3.8A Drain-source voltage: -20V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.25W |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 68mΩ Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Gate charge: 19nC Drain current: -3.8A Drain-source voltage: -20V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.25W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2323DS-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
P-MOSFET 20V 3.7A 39mΩ SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 Vishay TSI2323ds кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI2323DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SI2323DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |