Продукція > MICRO COMMERCIAL CO > SI2312A-TP
SI2312A-TP

SI2312A-TP Micro Commercial Co

SI2312A(SOT-23).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.66 грн
13+ 23.3 грн
100+ 14 грн
500+ 12.17 грн
1000+ 8.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2312A-TP Micro Commercial Co

Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.2W, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2312A-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2312A-TP SI2312A-TP Виробник : Micro Commercial Components si2312asot-23.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2312A-TP SI2312A-TP Виробник : Micro Commercial Co SI2312A(SOT-23).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
товар відсутній
SI2312A-TP SI2312A-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) SI2312A_SOT_23_-2510922.pdf MOSFET N-Ch Enh FET 20Vds 5.0A 8Vgs 0.35W
товар відсутній