Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2308BDS-T1-BE3
SI2308BDS-T1-BE3

SI2308BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2308BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI2308BDS-T1-BE3 за ціною від 10.3 грн до 40.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.68 грн
6000+ 17.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.39 грн
10+ 31.01 грн
100+ 21.59 грн
500+ 15.82 грн
1000+ 12.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S)
на замовлення 88992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+40.57 грн
10+ 34.15 грн
100+ 20.74 грн
500+ 16.15 грн
1000+ 13.12 грн
3000+ 10.86 грн
9000+ 10.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2308bds.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2308BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
товар відсутній