SI2307CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2307CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2307CDS-T1-BE3 за ціною від 9.35 грн до 40.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2307CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
на замовлення 4305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2307CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S) |
на замовлення 197288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2307CDS-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 3.5A, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Si2307CDS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2307CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI2307CDS-T1-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |