Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2307BDS-T1-BE3
SI2307BDS-T1-BE3

SI2307BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2307bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2307BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2307BDS-T1-BE3 за ціною від 15.04 грн до 55.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2307BDS-T1-BE3 SI2307BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2307bd.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
на замовлення 3404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.26 грн
10+ 36.3 грн
100+ 25.25 грн
500+ 18.51 грн
1000+ 15.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2307BDS-T1-BE3 SI2307BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2307bd.pdf MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 54392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.14 грн
10+ 47.78 грн
100+ 28.36 грн
500+ 23.7 грн
1000+ 19.61 грн
3000+ 16.58 грн
9000+ 16.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2307BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2307BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2307bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2307BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2307bd.pdf FOR NEW DESIGNS USE SI2307CDS-T1-GE3
товар відсутній