Продукція > VISHAY > SI2305DS-T1-E3--

SI2305DS-T1-E3-- VISHAY


Виробник: VISHAY

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2305DS-T1-E3-- VISHAY

Description: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 4 V.

Інші пропозиції SI2305DS-T1-E3--

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2305DST1E3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2305DS-T1-E3 SI2305DS-T1-E3 Виробник : Vishay 70833.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2305DS-T1-E3 SI2305DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 4 V
товар відсутній
SI2305DS-T1-E3 SI2305DS-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT SI2305CDS-GE3
товар відсутній