Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2304BDS-T1-BE3
SI2304BDS-T1-BE3

SI2304BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2304bds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2304BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2304BDS-T1-BE3 за ціною від 8.43 грн до 47.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2304BDS-T1-BE3 SI2304BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2304bds.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
на замовлення 7601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.93 грн
13+ 23.79 грн
100+ 14.27 грн
500+ 12.4 грн
1000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2304BDS-T1-BE3 SI2304BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2304bds.pdf MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S)
на замовлення 51714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.31 грн
10+ 39.85 грн
100+ 25.87 грн
500+ 20.38 грн
1000+ 15.74 грн
3000+ 12.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2304BDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2304bds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній