Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2302CDS-T1-BE3
SI2302CDS-T1-BE3

SI2302CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2302cds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.5 грн
6000+ 6.92 грн
9000+ 6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2302CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI2302CDS-T1-BE3 за ціною від 7.36 грн до 30.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.15 грн
6000+ 21.54 грн
9000+ 18.25 грн
12000+ 15.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.13 грн
15+ 20.72 грн
100+ 12.45 грн
500+ 10.82 грн
1000+ 7.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+28.17 грн
6000+ 23.19 грн
9000+ 19.66 грн
12000+ 17.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2302cds.pdf MOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S)
на замовлення 200935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.5 грн
14+ 23.12 грн
100+ 11.25 грн
1000+ 9 грн
3000+ 8.5 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2302CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2302cds.pdf N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товар відсутній