![SI2301HE3-TP SI2301HE3-TP](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/4595401f9faba69bdfea84ffaac9024d7e6c31a/sot-23.jpg)
SI2301HE3-TP Micro Commercial Components
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2301HE3-TP Micro Commercial Components
Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SI2301HE3-TP за ціною від 4.98 грн до 30.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI2301HE3-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SI2301HE3-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SI2301HE3-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SI2301HE3-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SI2301HE3-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SI2301HE3-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
SI2301HE3-TP | Виробник : Micro Commercial Components (MCC) |
![]() |
товар відсутній |