SI2301HE3-TP

SI2301HE3-TP Micro Commercial Components


si2301he3sot-23.pdf Виробник: Micro Commercial Components
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2301HE3-TP Micro Commercial Components

Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SI2301HE3-TP за ціною від 4.98 грн до 30.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2301HE3-TP SI2301HE3-TP Виробник : Micro Commercial Components si2301he3sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301HE3-TP SI2301HE3-TP Виробник : Micro Commercial Co Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.63 грн
6000+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2301HE3-TP SI2301HE3-TP Виробник : Micro Commercial Components si2301he3sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1144+10.54 грн
1188+ 10.15 грн
1277+ 9.44 грн
1694+ 6.87 грн
1841+ 5.85 грн
3000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 1144
SI2301HE3-TP SI2301HE3-TP Виробник : Micro Commercial Components si2301he3sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+20.34 грн
42+ 14.36 грн
45+ 13.55 грн
61+ 9.44 грн
100+ 8.41 грн
250+ 7.52 грн
500+ 5.67 грн
1000+ 5.21 грн
3000+ 5 грн
Мінімальне замовлення: 30
SI2301HE3-TP SI2301HE3-TP Виробник : Micro Commercial Co Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.08 грн
15+ 20.49 грн
100+ 10.34 грн
500+ 8.6 грн
1000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2301HE3-TP SI2301HE3-TP Виробник : Micro Commercial Components si2301he3sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A
товар відсутній
SI2301HE3-TP SI2301HE3-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) SI2301HE3_SOT_23_-3440239.pdf MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товар відсутній