SI1967DH-T1-BE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1967DH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.3A, SC-70
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: VISHAY - SI1967DH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.3A, SC-70
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 30.25 грн |
31+ | 26.27 грн |
50+ | 23.09 грн |
100+ | 17.74 грн |
250+ | 15.01 грн |
500+ | 13.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1967DH-T1-BE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI1967DH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.3A, SC-70, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: 0, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 0, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI1967DH-T1-BE3 за ціною від 7.74 грн до 30.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI1967DH-T1-BE3 | Виробник : Vishay | MOSFETs SOT363 P CHAN 20V |
на замовлення 75626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI1967DH-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI1967DH-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
товару немає в наявності |