Продукція > VISHAY > SI1905DL-T1-E3

SI1905DL-T1-E3 VISHAY


si1905dl.pdf Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 3018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1905DL-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 270mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 570mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SC-70-6.

Інші пропозиції SI1905DL-T1-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1905DL-T1-E3 SI1905DL-T1-E3 Виробник : Vishay si1905dl.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 0.57A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SI1905DL-T1-E3 SI1905DL-T1-E3 Виробник : Vishay si1905dl.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 0.57A 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SI1905DL-T1-E3 SI1905DL-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si1905dl.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
товар відсутній
SI1905DL-T1-E3 SI1905DL-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si1905dl.pdf Description: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 570mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
товар відсутній
SI1905DL-T1-E3 SI1905DL-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix si1905dl.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI1965DH-T1-GE3
товар відсутній