SH8MB5TB1

SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor


sh8mb5tb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+54.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SH8MB5TB1 за ціною від 43.73 грн до 133.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Виробник : ROHM sh8mb5tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+76.56 грн
500+ 60.11 грн
1000+ 45.08 грн
5000+ 43.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor sh8mb5tb1-e.pdf Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.89 грн
10+ 96.57 грн
100+ 76.85 грн
500+ 61.03 грн
1000+ 51.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Виробник : ROHM Semiconductor sh8mb5tb1-e.pdf MOSFET 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 19264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.36 грн
10+ 99.42 грн
100+ 68.67 грн
250+ 67.33 грн
500+ 57.49 грн
1000+ 49.27 грн
2500+ 46.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Виробник : ROHM sh8mb5tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+133.25 грн
10+ 100.92 грн
100+ 76.56 грн
500+ 60.11 грн
1000+ 45.08 грн
5000+ 43.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR sh8mb5tb1-e.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 8.5A; Idm: 34A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR sh8mb5tb1-e.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 8.5A; Idm: 34A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній