Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8M31GZETB
SH8M31GZETB

SH8M31GZETB Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.53 грн
10+ 104.7 грн
100+ 83.33 грн
500+ 66.17 грн
1000+ 56.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8M31GZETB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP.

Інші пропозиції SH8M31GZETB за ціною від 54.89 грн до 142.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SH8M31GZETB SH8M31GZETB Виробник : ROHM Semiconductor sh8m31gzetb_e-1873410.pdf MOSFET SH8M31 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.68 грн
10+ 116.39 грн
100+ 80.83 грн
250+ 78.02 грн
500+ 67.97 грн
1000+ 57.85 грн
2500+ 54.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8M31GZETB SH8M31GZETB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товар відсутній