![SH8K37GZETB SH8K37GZETB](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/5d3e95c85d75636ab6f3c70d5f34da26729f5f61/sop8.jpg)
SH8K37GZETB Rohm Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
135+ | 89.83 грн |
141+ | 85.82 грн |
250+ | 82.38 грн |
500+ | 76.57 грн |
1000+ | 68.59 грн |
2500+ | 63.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8K37GZETB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SOP.
Інші пропозиції SH8K37GZETB за ціною від 45.55 грн до 117.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SH8K37GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SH8K37GZETB | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SH8K37GZETB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 5.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
SH8K37GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SH8K37GZETB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 5.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |