Продукція > ONSEMI > SGH40N60UFDTU
SGH40N60UFDTU

SGH40N60UFDTU onsemi

SGH40N60UFD.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 40A 160W TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 212473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
129+163.79 грн
Мінімальне замовлення: 129
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SGH40N60UFDTU onsemi

Description: IGBT 600V 40A 160W TO3P, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-3P, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns, Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off), Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 97 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 160 W.

Інші пропозиції SGH40N60UFDTU за ціною від 214.21 грн до 214.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SGH40N60UFDTU Виробник : ONSEMI SGH40N60UFD.pdf Description: ONSEMI - SGH40N60UFDTU - IGBT, 40 A, 2.6 V, 160 W, 600 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UFD Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 193573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+214.21 грн
Мінімальне замовлення: 450
SGH40N60UFDTU Виробник : FSC SGH40N60UFD.pdf 10+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH40N60UFDTU Виробник : ON Semiconductor SGH40N60UFD.pdf
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH40N60UFDTU SGH40N60UFDTU Виробник : ON Semiconductor sgh40n60ufd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
SGH40N60UFDTU SGH40N60UFDTU Виробник : onsemi SGH40N60UFD.pdf Description: IGBT 600V 40A 160W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
товар відсутній
SGH40N60UFDTU SGH40N60UFDTU Виробник : onsemi / Fairchild SGH40N60UFD_D-2320182.pdf IGBT Transistors Dis High Perf IGBT
товар відсутній