SGH23N60UFDTU
Виробник: на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGH23N60UFDTU
Description: IGBT 600V 23A 100W TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-3PN, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/60ns, Switching Energy: 115µJ (on), 135µJ (off), Test Condition: 300V, 12A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 49 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 23 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції SGH23N60UFDTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SGH23N60UFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail |
товару немає в наявності |
|
 |
SGH23N60UFDTU | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 600V 23A 100W TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-3PN Td (on/off) @ 25°C: 17ns/60ns Switching Energy: 115µJ (on), 135µJ (off) Test Condition: 300V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 49 nC Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W |
товару немає в наявності |