SG40T120UDB2 SIRECTIFIER
Виробник: SIRECTIFIERCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 280W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 109ns
Turn-off time: 338ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SG40T120UDB2 SIRECTIFIER
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 280W; TO247AD, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 40A, Power dissipation: 280W, Case: TO247AD, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 180A, Mounting: THT, Gate charge: 230nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 109ns, Turn-off time: 338ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SG40T120UDB2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SG40T120UDB2 | Виробник : SIRECTIFIER |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 280W; TO247AD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 280W Case: TO247AD Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 109ns Turn-off time: 338ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |