![SF1008G SF1008G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2326/Taiwan-TO-220-3.jpg)
SF1008G Taiwan Semiconductor Corporation
![SF1001G SERIES_K2104.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.6 грн |
50+ | 53.15 грн |
100+ | 42.13 грн |
500+ | 33.51 грн |
1000+ | 27.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SF1008G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції SF1008G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SF1008G |
![]() |
на замовлення 8600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
SF1008G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SF1008G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |