SE30DT12-M3/I

SE30DT12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division


se30dt12.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SMPD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 1568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.8 грн
10+ 113.7 грн
100+ 90.5 грн
500+ 71.86 грн
1000+ 60.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SE30DT12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: SMPD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції SE30DT12-M3/I за ціною від 66 грн до 156.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SE30DT12-M3/I SE30DT12-M3/I Виробник : Vishay Semiconductors se30dt12.pdf Rectifiers 30A,1200V ESD PROTECTION, SMPD
на замовлення 3387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+156.49 грн
10+ 128.14 грн
100+ 88.71 грн
500+ 78.07 грн
2000+ 66 грн
Мінімальне замовлення: 3
SE30DT12-M3/I SE30DT12-M3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30dt12.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 132pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: SMPD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності