![SE20NJ-M3/I SE20NJ-M3/I](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4756/MFG_DFN3820A_Top.jpg)
SE20NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![se20nd_se20ng_se20nj.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14000+ | 8.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SE20NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DFN3820A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-VDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DFN3820A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SE20NJ-M3/I за ціною від 7.88 грн до 39.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SE20NJ-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-VDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DFN3820A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SE20NJ-M3/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|