![SDS065J050H3-ISATH SDS065J050H3-ISATH](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/6094/MFG_SDS065J016H3-ISATH.jpg)
SDS065J050H3-ISATH Luminus Devices Inc.
![SDS065J050H3-ISATH.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE 650V-50A TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2970pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: TO-247-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 907.26 грн |
10+ | 749.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SDS065J050H3-ISATH Luminus Devices Inc.
Description: DIODE 650V-50A TO247-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 2970pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 114A, Supplier Device Package: TO-247-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SDS065J050H3-ISATH
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SDS065J050H3-ISATH | Виробник : Sanan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |