SDS065J002D3-ISARH

SDS065J002D3-ISARH Sanan Semiconductor


SDS065J002D3_ISARH-3440292.pdf Виробник: Sanan Semiconductor
SiC Schottky Diodes Diode 650V-2A TO252-2L
на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.99 грн
10+ 76.17 грн
100+ 51.14 грн
500+ 43.38 грн
1000+ 35.34 грн
2500+ 33.22 грн
5000+ 31.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SDS065J002D3-ISARH Sanan Semiconductor

Description: DIODE 650V-2A TO252-2L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 9A, Supplier Device Package: TO-252-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V.

Інші пропозиції SDS065J002D3-ISARH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SDS065J002D3-ISARH SDS065J002D3-ISARH Виробник : Luminus Devices Inc. SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf Description: DIODE 650V-2A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товар відсутній
SDS065J002D3-ISARH SDS065J002D3-ISARH Виробник : Luminus Devices Inc. SananSemiconductorSDS065J002D3Datasheet.pdf Description: DIODE 650V-2A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 113pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-252-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 650 V
товар відсутній