SD2932W STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET 50V M244
Packaging: Tube
Package / Case: M244
Current Rating (Amps): 40A
Frequency: 175MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 300W
Gain: 16dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: M244
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 500 mA
Description: RF MOSFET 50V M244
Packaging: Tube
Package / Case: M244
Current Rating (Amps): 40A
Frequency: 175MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 300W
Gain: 16dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: M244
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 500 mA
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11494.71 грн |
15+ | 10601.14 грн |
30+ | 10367.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SD2932W STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W, Case: M244, Kind of package: tube, Frequency: 175MHz, Drain-source voltage: 125V, Drain current: 40A, Type of transistor: N-MOSFET, Open-loop gain: 16dB, Output power: 300W, Power dissipation: 500W, Efficiency: 60%, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT, Mechanical mounting: screw, Kind of transistor: RF, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±40V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SD2932W за ціною від 10304.74 грн до 14806.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SD2932W | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SD2932W - HF-FET-Transistor, 125 V, 40 A, 500 W, 175 MHz, 230 MHz, M244 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500W Betriebsfrequenz, max.: 230MHz Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Betriebsfrequenz, min.: 175MHz Drain-Source-Spannung Vds: 125V rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A Betriebstemperatur, max.: 200°C usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
SD2932W | Виробник : STMicroelectronics | RF MOSFET Transistors N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
SD2932W |
на замовлення 2200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SD2932W Код товару: 148878 |
Транзистори > ВЧ |
товар відсутній
|
|||||||||||||
SD2932W | Виробник : STMicroelectronics | Trans RF MOSFET N-CH 125V 40A 5-Pin Case M-244 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
SD2932W | Виробник : STMicroelectronics | Trans RF MOSFET N-CH 125V 40A 5-Pin Case M-244 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
SD2932W | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W Case: M244 Kind of package: tube Frequency: 175MHz Drain-source voltage: 125V Drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16dB Output power: 300W Power dissipation: 500W Efficiency: 60% Polarisation: unipolar Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT Mechanical mounting: screw Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±40V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
SD2932W | Виробник : STMicroelectronics | Trans RF MOSFET N-CH 125V 40A 5-Pin Case M-244 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
SD2932W | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125V; 40A; 500W; M244; Pout: 300W Case: M244 Kind of package: tube Frequency: 175MHz Drain-source voltage: 125V Drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 16dB Output power: 300W Power dissipation: 500W Efficiency: 60% Polarisation: unipolar Electrical mounting: FASTON connectors; soldering; THT Mechanical mounting: screw Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±40V |
товар відсутній |