SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2748.53 грн |
| 10+ | 2431.16 грн |
| 25+ | 1928.19 грн |
| 50+ | 1865.76 грн |
| 100+ | 1706.45 грн |
| 250+ | 1644.74 грн |
| 600+ | 1613.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 119A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 565W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 565W, Bauform - Transistor: HiP247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 200°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SCTWA90N65G2V-4 за ціною від 2786.91 грн до 3021.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTWA90N65G2V-4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 119A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 565W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 565W Bauform - Transistor: HiP247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| SCTWA90N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||
| SCTWA90N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||
| SCTWA90N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||
| SCTWA90N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||
| SCTWA90N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
 |
SCTWA90N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 565W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads Part Status: Active Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||
| SCTWA90N65G2V-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |