SCTL90N65G2V STMicroelectronics
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1825.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTL90N65G2V STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCTL90N65G2V за ціною від 1834.02 грн до 2733.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCTL90N65G2V | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SCTL90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLATtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 935W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SCTL90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 5-Pin Power Flat EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SCTL90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 5-Pin Power Flat EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SCTL90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
SCTL90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SCTL90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SCTL90N65G2V | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |