SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1562.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: H2PAK-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V.
Інші пропозиції SCTH90N65G2V-7 за ціною від 1393.94 грн до 2352.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ TJ = 25C) |
на замовлення 15843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 116A; Idm: 220A; 484W; H2PAK7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 116A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 484W Case: H2PAK7 Gate-source voltage: ±3.2V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 157nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: H2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SCTH90N65G2V-7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 116A; Idm: 220A; 484W; H2PAK7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 116A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 484W Case: H2PAK7 Gate-source voltage: ±3.2V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 157nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |