Продукція > ROHM > SCT4062KW7TL
SCT4062KW7TL

SCT4062KW7TL ROHM

ROHM-S-A0015638926-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT4062KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+763.61 грн
50+ 669.39 грн
100+ 581.95 грн
250+ 563.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT4062KW7TL ROHM

Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V, Power Dissipation (Max): 93W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA, Supplier Device Package: TO-263-7L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V.

Інші пропозиції SCT4062KW7TL за ціною від 537.43 грн до 936.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SCT4062KW7TL SCT4062KW7TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4062KW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+860.71 грн
10+ 730.67 грн
100+ 631.91 грн
500+ 537.43 грн
SCT4062KW7TL SCT4062KW7TL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCT4062KW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 1200V, SIC MOSFET
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+926.65 грн
10+ 804.71 грн
25+ 680.7 грн
50+ 642.61 грн
100+ 605.23 грн
250+ 586.18 грн
500+ 567.13 грн
SCT4062KW7TL SCT4062KW7TL Виробник : ROHM ROHM-S-A0015638926-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - SCT4062KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 1.2 kV, 0.062 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+936.11 грн
5+ 849.86 грн
10+ 763.61 грн
50+ 669.39 грн
100+ 581.95 грн
250+ 563.63 грн
SCT4062KW7TL SCT4062KW7TL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT4062KW7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 93W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +21V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
товар відсутній