SCT4013DW7TL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT4013DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1964.11 грн |
| 50+ | 1823.08 грн |
| 100+ | 1682.16 грн |
| 200+ | 1598.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT4013DW7TL ROHM
Description: 750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V, Power Dissipation (Max): 267W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA, Supplier Device Package: TO-263-7L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +21V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V.
Інші пропозиції SCT4013DW7TL за ціною від 1574.32 грн до 2796.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT4013DW7TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V Power Dissipation (Max): 267W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA Supplier Device Package: TO-263-7L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT4013DW7TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT4013DW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.013 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 267W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT4013DW7TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO263 750V 98A N-CH SIC |
на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT4013DW7TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 58A, 18V Power Dissipation (Max): 267W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA Supplier Device Package: TO-263-7L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +21V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 500 V |
товару немає в наявності |