SCT3160KLGC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT3160KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 17A, 1.2kV, 0.16 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 588.98 грн |
| 5+ | 545.62 грн |
| 10+ | 501.46 грн |
| 50+ | 457.59 грн |
| 100+ | 415.63 грн |
| 250+ | 408.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3160KLGC11 ROHM
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247N, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800.
Інші пропозиції SCT3160KLGC11 за ціною від 345.1 грн до 1338.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3160KLGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT3160KLGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247N Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT3160KLGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCT3160KLGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT3160KLGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247 Kind of package: tube On-state resistance: 0.16Ω Power dissipation: 103W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 17A Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCT3160KLGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17A; 103W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247 Kind of package: tube On-state resistance: 0.16Ω Power dissipation: 103W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 17A Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SCT3160KLGC11 | Виробник : ROHM - Japan |
SiC-N-Ch 1200V 17A 103W 0,208R TO247 SCT3160KLGC11 : Rohm SCT3160KLGC11 TSCT3160klgc11 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|