SCT3105KRC15 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 578.92 грн |
| 10+ | 379.6 грн |
| 100+ | 278.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3105KRC15 Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V, Power Dissipation (Max): 134W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SCT3105KRC15 за ціною від 540.22 грн до 913.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3105KRC15 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V, 24A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|