SCT30N120 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1363.33 грн |
| 90+ | 1230.79 грн |
| 300+ | 1148.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT30N120 STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA (Typ), Supplier Device Package: HiP247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V.
Інші пропозиції SCT30N120 за ціною від 1057.77 грн до 1836.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT30N120 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SCT30N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 200°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
SiC MOSFETs 1200V silicon carbide MOSFET |
на замовлення 572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SCT30N120 Код товару: 167630 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
SCT30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SCT30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
SCT30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SCT30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 34A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 270W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SCT30N120 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; SiCFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 34A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 270W Case: HIP247™ Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube |
товар відсутній |