SCT3080KW7TL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT3080KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 698.61 грн |
| 5+ | 684.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3080KW7TL ROHM
Description: ROHM - SCT3080KW7TL - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 159W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT3080KW7TL за ціною від 769.17 грн до 1351.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3080KW7TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 159W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT3080KW7TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 30A N-CH SIC |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SCT3080KW7TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 159W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SCT3080KW7TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 159W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SCT3080KW7TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 75A; 159W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 159W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товару немає в наявності |