на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1035.28 грн |
10+ | 1016.43 грн |
25+ | 767.47 грн |
50+ | 766.76 грн |
100+ | 738.54 грн |
240+ | 703.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3080KRC14 ROHM Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 165W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SCT3080KRC14 за ціною від 860.56 грн до 1172.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SCT3080KRC14 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 165W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|