SCT3080ARC15 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorSiC MOSFETs 650V, 30A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 790.04 грн |
| 10+ | 667.62 грн |
| 25+ | 526.22 грн |
| 100+ | 483.19 грн |
| 250+ | 454.98 грн |
| 450+ | 426.76 грн |
| 900+ | 383.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3080ARC15 ROHM Semiconductor
Description: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 134W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V.
Інші пропозиції SCT3080ARC15
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3080ARC15 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 134W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V |
товару немає в наявності |