SCT3080ALGC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCT3080ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30A, 650V, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 728 грн |
| 5+ | 711.38 грн |
| 10+ | 695.56 грн |
| 50+ | 630.44 грн |
| 100+ | 568.38 грн |
| 250+ | 554.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3080ALGC11 ROHM
Description: SICFET N-CH 650V 30A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 134W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247N, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500.
Інші пропозиції SCT3080ALGC11 за ціною від 427.96 грн до 834.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3080ALGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT3080ALGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 650V 30A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V Power Dissipation (Max): 134W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247N Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 |
на замовлення 1587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SCT3080ALGC11 | Виробник : ROHM - Japan |
SiC-N-Ch 650V 30A 134W 0,104R TO247 SCT3080ALGC11 : Rohm SCT3080ALGC11 TSCT3080algc11 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SCT3080ALGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 134W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SCT3080ALGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 134W Case: TO247 Gate-source voltage: -4...22V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |