![SCT3060ALHRC11 SCT3060ALHRC11](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO247-40.jpg)
SCT3060ALHRC11 ROHM
![2793145.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1500.44 грн |
5+ | 1442.1 грн |
10+ | 1383.75 грн |
50+ | 1191.2 грн |
100+ | 1012.38 грн |
250+ | 992.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3060ALHRC11 ROHM
Description: ROHM - SCT3060ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 165W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SCT3060ALHRC11 за ціною від 1062.02 грн до 1857.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SCT3060ALHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SCT3060ALHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 97A; 165W; TO247 Mounting: THT On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 165W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 58nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 97A Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
SCT3060ALHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 165W Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA Supplier Device Package: TO-247N Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SCT3060ALHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 97A; 165W; TO247 Mounting: THT On-state resistance: 78mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 165W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 58nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 97A Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A |
товар відсутній |