SCT3040KLGC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1879.47 грн |
| 30+ | 1780.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3040KLGC11 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 55A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 262W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247N, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800.
Інші пропозиції SCT3040KLGC11 за ціною від 1801.8 грн до 2881.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3040KLGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT3040KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 55A, 1.2kV, 0.04 Ohm, 18V, 5.6V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 262W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT3040KLGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCT3040KLGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; 262W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 55A Power dissipation: 262W Case: TO247 On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SCT3040KLGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; 262W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 55A Power dissipation: 262W Case: TO247 On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |