SCT2750NYTB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975mOhm @ 1.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 800 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 316.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT2750NYTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT2750NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCT2750NYTB за ціною від 282.06 грн до 600.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT2750NYTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT2750NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT2750NYTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.9A 3-Pin(2+Tab) TO-268L T/R |
на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT2750NYTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 975mOhm @ 1.7A, 18V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Supplier Device Package: TO-268 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 800 V |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCT2750NYTB | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT2750NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCT2750NYTB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide |
на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SCT2750NYTB Код товару: 147922 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
| SCT2750NYTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.9A; Idm: 14A; 57W Power dissipation: 57W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: TO268 Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -6...22V Pulsed drain current: 14A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 5.9A On-state resistance: 975mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 400 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SCT2750NYTB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.9A; Idm: 14A; 57W Power dissipation: 57W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: TO268 Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -6...22V Pulsed drain current: 14A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 5.9A On-state resistance: 975mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |