SCS312AHGC9 Rohm Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 461.58 грн |
| 31+ | 405.44 грн |
| 50+ | 322.27 грн |
| 200+ | 294.72 грн |
| 500+ | 244.12 грн |
| 1000+ | 229 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS312AHGC9 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCS312AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220ACP, Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SCS312AHGC9 за ціною від 241.24 грн до 580.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCS312AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS312AHGC9 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V;12A;78W SiC SBD TO-220ACP |
на замовлення 703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS312AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS312AHGC9 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCS312AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 28 nC, TO-220ACP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 28nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SCS312AHGC9 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; Ir: 240uA Mounting: THT Case: TO220AC Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 350A Leakage current: 240µA Power dissipation: 78W Kind of package: tube Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 52A Max. forward voltage: 1.71V Load current: 12A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SCS312AHGC9 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; Ir: 240uA Mounting: THT Case: TO220AC Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 350A Leakage current: 240µA Power dissipation: 78W Kind of package: tube Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 52A Max. forward voltage: 1.71V Load current: 12A |
товар відсутній |