SCS308AHGC9 Rohm Semiconductor
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 61+ | 200.64 грн |
| 69+ | 179.85 грн |
| 100+ | 178.81 грн |
| 200+ | 168.41 грн |
| 500+ | 146.66 грн |
| 1000+ | 139.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS308AHGC9 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCS308AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220ACP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220ACP, Kapazitive Gesamtladung: 21nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SCS308AHGC9 за ціною від 146.19 грн до 350.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS308AHGC9 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - SCS308AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220ACPtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 21nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCS308AHGC9 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 57W; TO220AC; tube Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 36A Max. forward voltage: 1.71V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 250A Leakage current: 0.16mA Power dissipation: 57W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220AC |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCS308AHGC9 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; 57W; TO220AC; tube Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 36A Max. forward voltage: 1.71V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 250A Leakage current: 0.16mA Power dissipation: 57W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220AC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 999 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCS308AHGC9 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V;8A;57W SiC SBD TO-220ACP |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCS308AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SCS308AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товар відсутній |