SCH1337-TL-H Sanyo
Виробник: SanyoDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Supplier Device Package: 6-SCH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 10 V
на замовлення 715000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2420+ | 8.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCH1337-TL-H Sanyo
Description: ONSEMI - SCH1337-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.115 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції SCH1337-TL-H за ціною від 8.35 грн до 9.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCH1337-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A 6SCH Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Supplier Device Package: 6-SCH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 10 V |
на замовлення 675000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
SCH1337-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SCH1337-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.115 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 675000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
SCH1337-TL-H | Виробник : onsemi |
MOSFET SWITCHING DEVICE |
на замовлення 7497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| SCH1337-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 9725 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
|
|
SCH1337-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A 6SCH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Supplier Device Package: 6-SCH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 10 V |
товар відсутній |