Продукція > ONSEMI > SBC846BWT1G-M02

SBC846BWT1G-M02 ONSEMI


BC846-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BWT1G-M02 - SBC846 - TRANS BJTS NPN 65V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 192000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6420+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 6420
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC846BWT1G-M02 ONSEMI

Description: SBC846 - TRANS BJTS NPN 65V, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 310 mW.

Інші пропозиції SBC846BWT1G-M02

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SBC846BWT1G-M02 SBC846BWT1G-M02 Виробник : onsemi Description: SBC846 - TRANS BJTS NPN 65V
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
товар відсутній