![SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5883/488%7E419B-02%7EDF%2CDW%2CSQ%7E6.jpg)
SBC846BPDW1T1G onsemi
![bc846bpdw1t1-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.02 грн |
6000+ | 3.59 грн |
9000+ | 2.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBC846BPDW1T1G onsemi
Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SBC846BPDW1T1G за ціною від 3.89 грн до 37.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200 Übergangsfrequenz, NPN: 100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 380 usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100 Übergangsfrequenz, PNP: 100 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65 DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200 euEccn: NLR Verlustleistung, NPN: 380 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65 Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 32297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 150...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 150...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 116556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 28502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SBC846BPDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |