Технічний опис S80KS2564GACHV043 Infineon Technologies
Description: SPCM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 49-VBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8), Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Memory Interface: HyperBus, Access Time: 35 ns, Memory Organization: 16M x 16.
Інші пропозиції S80KS2564GACHV043
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| S80KS2564GACHV043 | Виробник : Infineon Technologies |
 Self-Refresh DRAM (PSRAM) |
товару немає в наявності |
||
| S80KS2564GACHV043 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
S80KS2564GACHV043 DRAM memories - integrated circuits |
товару немає в наявності |
||
| S80KS2564GACHV043 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SPCM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 49-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8) Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 16M x 16 |
товару немає в наявності |
||
| S80KS2564GACHV043 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM HyperRAM |
товару немає в наявності |