S6AE102A0DGN1B200 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC PMIC ENERGY HARVESTING 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Applications: Energy Harvesting
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
Part Status: Obsolete
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 781.36 грн |
| 10+ | 679.45 грн |
| 25+ | 647.87 грн |
| 100+ | 527.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S6AE102A0DGN1B200 Infineon Technologies
Description: IC PMIC ENERGY HARVESTING 20QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C, Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V, Applications: Energy Harvesting, Supplier Device Package: 20-QFN (4x4), Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції S6AE102A0DGN1B200
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| S6AE102A0DGN1B200 | Виробник : Cypress Semiconductor |
Power Management Specialized - PMIC ANALOG |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
S6AE102A0DGN1B200 | Виробник : Cypress Semiconductor |
Energy Harvesting to 20-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |
|
|
|
S6AE102A0DGN1B200 | Виробник : Infineon Technologies |
Energy Harvesting to 20-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |
|
|
|
S6AE102A0DGN1B200 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC PMIC ENERGY HARVESTING 20QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Applications: Energy Harvesting Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) Part Status: Obsolete |
товар відсутній |