на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 596.16 грн |
| 3+ | 373.49 грн |
| 8+ | 353.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S5D10170A2 SMC DIODE SOLUTIONS
Description: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 978pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 44A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції S5D10170A2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
S5D10170A2 | Виробник : SMC Diode Solutions |
 Description: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE SPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 978pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 44A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V |
товару немає в наявності |